天津中環(huán)電爐股份有限公司

— 產(chǎn)品分類 —

1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)

產(chǎn)品用途：此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

所屬分類：

關鍵詞：

CVD

雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)

銷售熱線：

產(chǎn)品用途：此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

銷售熱線：15122725930

產(chǎn)品用途：

此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

產(chǎn)品組成：

此款CVD系統(tǒng)配置：

1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。

2.多路質量流量控制系統(tǒng)

3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

產(chǎn)品特點：

1 控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司設計,提高操作便捷性。

3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵

防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

系統(tǒng)名稱	1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
系統(tǒng)型號	CVD-12II-3Z/G	CVD-12II6-3Z/G
最高溫度	1200℃
加熱區(qū)長度	420mm	600mm
恒溫區(qū)長度	280mm	390mm
溫區(qū)	雙溫區(qū)	雙溫區(qū)
石英管管徑	Φ50/Φ60/Φ80mm	Φ80/Φ100mm
額定功率	3.2Kw	4.8Kw
額定電壓	220V
溫度控制	國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫；
控制精度	±1℃
爐管最高工作溫度	＜1200℃
氣路法蘭	密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在第一次使用設備的時候安裝
氣體控制方式	質量流量計
氣路數(shù)量	3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量）
流量范圍	0-500sccm(標準毫升/分，可選配）氮氣標定
精度	±1%F.S
響應時間	≤4sec
工作溫度	5-45℃
工作壓力	進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統(tǒng)連接方式	采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀
規(guī)格	高真空
系統(tǒng)真空范圍	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW


爐體外形尺寸	340×580×555mm	480×770×605mm
系統(tǒng)外形尺寸	530x1440x750mm(不含高真空)
系統(tǒng)總重量	330kg

關鍵詞: